PSHI 25F 兼容SKHI 26 双路智能大功率 IGBT 驱动器
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产品描述
1，驱动器可以为在半桥模式下工作的IGBT提供短路保 护。如果驱动单个IGBT,则需要把没有用到的VCEin与指 定的 E 极（0V）短接。这是受不用的 VCE 监测功能 的限制。
2，通过测量 VCE 电压来实现短路保护功能。驱动器具 有软关断功能，故障时通过自动增加关断电阻来延长关 断时间，降低电压过冲，从而提高了 IGBT 的可靠性。
3，IGBT 的门极开通电压 VGEON 为 +15V；门极关断电 压 VGEOFF 为 -8V。一旦电源电压发生故障，则通过连接 在门极-发射极之间的一个10kΩ的电阻来完成IGBT关 断 。
4，驱动器内置DC/DC隔离电源，隔离电压为4kV AC/ 1 分钟。
5，“互锁”电路用于防止在半桥模式下，上下两管同 时导通。一个IGBT的关断与另外一个IGBT的导通的死 区时间为 3.3 μ s（>t d off）。
8，隔离脉冲变压器用于传递开关信号。隔离测试电压 为4kV AC/1分钟。控制侧与功率输出侧之间最大的dv/ dt 值为：75kV/ μ s。
9，输入信号为 CMOS（＋ 15V）电平兼容（PSHI 25W）。该输入信号具有能抑制干扰脉冲的施密特触发 特性。输入的阈值为： ViT+ = 最小 12.9V ViT- = 最大 2.1V
10，工作温度范围 光纤接口 PSHI25F：0...+70℃ 常规型号 PSHI25W：Tamb= -25℃...+85℃。
11，常规信号延时时间为： 导通：1.0 + tTD 输入－输出 关断：1 μ s 输入－输出 错误：1 μ s 错误信号输入－错误信号输出 PSHI 25W；PSHI 25F
■内置驱动用隔离开关电源 ■短脉冲抑制功能（<500ns 的干扰被抑制）
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